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Diskrete Halbleiter-Produkte
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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CSD17506Q5A
| Artikelnummer: | CSD17506Q5A |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | N/A |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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CSD17506Q5A Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments CSD17506Q5A.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-VSONP (5x6) Serie NexFET™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 20A, 10V Verlustleistung (max) 3.2W (Ta) Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) Grundproduktnummer CSD17506 CSD17506Q5A Einzelheiten PDF [English] CSD17506Q5A PDF - EN.pdf -
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